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ZHB6790TA
Diodes(美台) 分立器件

ZHB6790 系列 40 V 2 A NPN/PNP 半桥式 双极 晶体管 - SOT-223-8

- 双极 BJT - 阵列 2 个 NPN + 2 个 PNP(H 桥) 40V 2A 100MHz 1.25W 表面贴装型 SM-8


得捷:
TRANS 2NPN/2PNP 40V 2A SOT223


立创商城:
2个 NPN + 2个 PNPH 桥 40V 2A


艾睿:
The npn and PNP ZHB6790TA general purpose bipolar junction transistor, developed by Diodes Zetex, is the perfect solution for your high-current density needs. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.


Allied Electronics:
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 2A 8Pin SM8


安富利:
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 2A 8-Pin SM8 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 2A 8-Pin SM8 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 2A 8-Pin SM8 T/R


儒卓力:
**NPN/PNP TRAN.BRIDGE 40V 2A SM-8 **


DeviceMart:
IC H-BRIDGE 40V 2.0A SOT223-8


ZHB6790TA中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

额定电流 2.00 A

极性 NPN+PNP

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 200 @1A, 2V

额定功率Max 1.25 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOT-223-8

外形尺寸

封装 SOT-223-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

ZHB6790TA引脚图与封装图
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ZHB6790TA Diodes 美台 ZHB6790 系列 40 V 2 A NPN/PNP 半桥式 双极 晶体管 - SOT-223-8 搜索库存