通道数 1
漏源极电阻 1.80 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 700 mW
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 450 mA
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 100pF @25VVds
额定功率Max 700 mW
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700mW Ta
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 4.95 mm
高度 4.95 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ZVN4210ASTZ | Diodes 美台 | MOSFET N-CH 100V TO92-3 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ZVN4210ASTZ 品牌: Diodes 美台 封装: TO-92-3 N-Channel 100V 450mA 1.8Ω | 当前型号 | MOSFET N-CH 100V TO92-3 | 当前型号 | |
型号: ZVN4210A 品牌: 美台 封装: TO-92-3 N-Channel 100V 450mA 1.8Ω 100pF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 100V 0.45A 3Pin TO-92 | ZVN4210ASTZ和ZVN4210A的区别 | |
型号: ZVN4210ASTOA 品牌: 美台 封装: TO-92 N-Channel 100V 450mA 1.8Ω | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 100V 0.45A Automotive 3Pin TO-92 T/R | ZVN4210ASTZ和ZVN4210ASTOA的区别 |