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ZXMP6A17DN8TA

ZXMP6A17DN8TA

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

ZXMP6A16 系列 60 V 0.125 Ohm 双通道 P 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 60V 2.7A 1.81W Surface Mount 8-SO


立创商城:
2个P沟道 60V 2.7A


得捷:
MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC


贸泽:
MOSFET Dl 60V P-Chnl UMOS


艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this ZXMP6A17DN8TA power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 2150 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
MOSFET Dual P-Channel 20V 3.2A SOIC8


安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 3.42A 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 60V 3.42A 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 3.42A Automotive 8-Pin SOIC T/R


儒卓力:
**DUAL -60V -3A 125mOhm SO-8 **


Win Source:
MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC


ZXMP6A17DN8TA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -3.10 A

漏源极电阻 0.125 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.15 W

漏源极电压Vds 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 3.10 A

上升时间 3.4 ns

输入电容Ciss 637pF @30VVds

额定功率Max 1.81 W

下降时间 11.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

ZXMP6A17DN8TA引脚图与封装图
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在线购买ZXMP6A17DN8TA
型号 制造商 描述 购买
ZXMP6A17DN8TA Diodes 美台 ZXMP6A16 系列 60 V 0.125 Ohm 双通道 P 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8 搜索库存
替代型号ZXMP6A17DN8TA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ZXMP6A17DN8TA

品牌: Diodes 美台

封装: P-Channel 60V 3.1A 190mΩ

当前型号

ZXMP6A16 系列 60 V 0.125 Ohm 双通道 P 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8

当前型号

型号: ZXMP6A17DN8QTC

品牌: 美台

封装: SO P-CH 60V 3.42A

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DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET

ZXMP6A17DN8TA和ZXMP6A17DN8QTC的区别