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ZHB6792TA
Diodes(美台) 分立器件

ZHB6792 系列 NPN/PNP 70 V 1A 1.25 W 双极 晶体管 H-桥 -SM-8

- 双极 BJT - 阵列 2 个 NPN + 2 个 PNP(H 桥) 70V 1A 100MHz 1.25W 表面贴装型 SM-8


得捷:
TRANS 2NPN/2PNP 70V 1A SOT223


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT H-Bridge-70V


艾睿:
Trans GP BJT NPN/PNP 70V 1A 8-Pin SM8 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN/PNP 70V 1A 8-Pin SM8 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN/PNP 70V 1A 8-Pin SM8 T/R


儒卓力:
**NPN/PNP TRAN.BRIDGE 70V 1A SM-8 **


Win Source:
TRANS 2NPN/2PNP 70V 1A SOT223


DeviceMart:
TRANS H-BRIDGE BIPO SOT223-8


ZHB6792TA中文资料参数规格
技术参数

额定电流 1.00 A

极性 NPN+PNP

耗散功率 2000 mW

击穿电压集电极-发射极 70 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 300 @100mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 500

额定功率Max 1.25 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOT-223-8

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-223-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

ZHB6792TA引脚图与封装图
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ZHB6792TA Diodes 美台 ZHB6792 系列 NPN/PNP 70 V 1A 1.25 W 双极 晶体管 H-桥 -SM-8 搜索库存