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ZVN4210GTA

ZVN4210GTA

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Diodes(美台) 分立器件

DIODES INC.  ZVN4210GTA  晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 800 mA, 100 V, 1.5 ohm, 10 V, 800 mV

The is a N-channel enhancement-mode Vertical DMOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over copper lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard.

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Halogen-free, Green device
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Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
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Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
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UL94V-0 Flammability rating
ZVN4210GTA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 800 mA

针脚数 4

漏源极电阻 1.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 800 mV

输入电容 100 pF

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 800 mA

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 100pF @25VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.55 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.65 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 车用, 国防, 军用与航空, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

军工级 Yes

REACH SVHC版本 2015/12/17

ZVN4210GTA引脚图与封装图
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ZVN4210GTA Diodes 美台 DIODES INC.  ZVN4210GTA  晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 800 mA, 100 V, 1.5 ohm, 10 V, 800 mV 搜索库存