ZDT705TA

Diodes(美台) 分立器件

达林顿晶体管 Dual 120V PNP HighG

- 双极 BJT - 阵列 2 PNP 达林顿（双） 120V 1A 160MHz 2.75W 表面贴装型 SM8

得捷:
TRANS 2PNP DARL 120V 1A SM8

贸泽:
达林顿晶体管 Dual 120V PNP HighG

ZDT705TA中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -120 V

额定电流 -4.00 A

极性 PNP

耗散功率 2.75 W

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 3000 @1A, 5V

最大电流放大倍数hFE 3000

额定功率Max 2.75 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223-8

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-223-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

ZDT705TA引脚图与封装图

ZDT705TA封装图

ZDT705TA封装焊盘图

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