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ZXMD63C03XTA

ZXMD63C03XTA

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

ZXMD63C03X 系列 30 V 0.135 Ohm N/P 沟道 双 增强模式 MOSFET-MSOP-8

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V - 1.04W 表面贴装型 8-MSOP


得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP


贸泽:
MOSFET 30V N&P; Chnl HDMOS


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive 8-Pin MSOP T/R


Allied Electronics:
MOSFET Dual N/P-Ch 30V 2.3A/2A MSOP8


富昌:
ZXMD63C03X 系列 30 V 0.135 Ohm N/P 沟道 双 增强模式 MOSFET-MSOP-8


Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 8-Pin MSOP T/R


TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2/-2.3A; 1.25W; MSOP8


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive 8-Pin MSOP T/R


Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP


DeviceMart:
MOSFET N+P 30V 2A 8-MSOP


ZXMD63C03XTA中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.25 W

漏源极电阻 135 mΩ, 185 mΩ

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 870 mW

输入电容 270 pF

栅电荷 7.00 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 ±30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 2.00 A

上升时间 4.80 ns

输入电容Ciss 290pF @25VVds

额定功率Max 1.04 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 MSOP-8

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 3.1 mm

高度 0.95 mm

封装 MSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

ZXMD63C03XTA引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
ZXMD63C03XTA Diodes 美台 ZXMD63C03X 系列 30 V 0.135 Ohm N/P 沟道 双 增强模式 MOSFET-MSOP-8 搜索库存
替代型号ZXMD63C03XTA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ZXMD63C03XTA

品牌: Diodes 美台

封装: MSOP-8 N-Channel 30V 2A 135mΩ 270pF

当前型号

ZXMD63C03X 系列 30 V 0.135 Ohm N/P 沟道 双 增强模式 MOSFET-MSOP-8

当前型号

型号: ZXMD63C03X

品牌: 美台

封装: MSOP

功能相似

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.3 A, 30 V, 0.135 ohm, 10 V, 1 V

ZXMD63C03XTA和ZXMD63C03X的区别