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ZX5T3ZTA

ZX5T3ZTA

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Diodes(美台) 分立器件

ZX5T3ZTA 编带

The PNP general purpose bipolar junction transistor, developed by Zetex, is the perfect solution for your high-current density needs. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7.5 V. Its maximum power dissipation is 3000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 7.5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

ZX5T3ZTA中文资料参数规格
技术参数

频率 152 MHz

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -5.50 A

极性 PNP

耗散功率 3000 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 5.5A

最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 200

额定功率Max 2.1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 2.6 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

ZX5T3ZTA引脚图与封装图
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在线购买ZX5T3ZTA
型号 制造商 描述 购买
ZX5T3ZTA Diodes 美台 ZX5T3ZTA 编带 搜索库存
替代型号ZX5T3ZTA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： ZX5T3ZTA

品牌： Diodes 美台

封装： SOT-89-3 PNP 40V 5.5A 3000mW

当前型号

ZX5T3ZTA 编带

当前型号

型号： ZXTP2009ZTA

品牌： 美台

封装： SOT-89-3 PNP 40V 5.5A 3000mW

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ZX5T3ZTA和ZXTP2009ZTA的区别

型号： ZX5T3ZTC

品牌： 美台

封装： SOT-89-3 PNP 3000mW

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