ZVN4306GVTC
数据手册.pdfDiodes(美台)
电子元器件分类
ZVN4306GVTC中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 2.10 A
通道数 1
漏源极电阻 450 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
输入电容 350 pF
漏源极电压Vds 60.0 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 2.10 A
上升时间 25 ns
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-223-3
外形尺寸
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.65 mm
封装 SOT-223-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ZVN4306GVTC引脚图与封装图
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在线购买ZVN4306GVTC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZVN4306GVTC | Diodes 美台 | Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | 搜索库存 |
替代型号ZVN4306GVTC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZVN4306GVTC 品牌： Diodes 美台 封装： | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | 当前型号 |
| 型号： ZVN4306GVTA 品牌： 美台 封装： SOT-223 N-Channel 60V 2.1A 450mΩ 350pF | 功能相似 | N沟道 60V 2.1A | ZVN4306GVTC和ZVN4306GVTA的区别 |
| 型号： ZVN4306GV 品牌： 美台 封装： | 功能相似 | SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | ZVN4306GVTC和ZVN4306GV的区别 |