针脚数 4
漏源极电阻 5 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 450 mA
工作温度Max 150 ℃
引脚数 4
封装 SOT-223
封装 SOT-223
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ZVP2106G | Diodes 美台 | DIODES INC. ZVP2106G 晶体管, MOSFET, P沟道, 450 mA, -60 V, 5 ohm, -10 V, -3.5 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ZVP2106G 品牌: Diodes 美台 封装: | 当前型号 | DIODES INC. ZVP2106G 晶体管, MOSFET, P沟道, 450 mA, -60 V, 5 ohm, -10 V, -3.5 V | 当前型号 | |
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型号: ZVP2106GTC 品牌: 美台 封装: | 功能相似 | Trans MOSFET P-CH 60V 0.45A Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | ZVP2106G和ZVP2106GTC的区别 |