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ZX5T853GTA

ZX5T853GTA

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Diodes(美台) 分立器件

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN 100V

Jump-start your electronic circuit design with this versatile NPN GP BJT from Zetex. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 3000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 100 V and a maximum emitter base voltage of 7 V.

ZX5T853GTA中文资料参数规格
技术参数

频率 130 MHz

额定电压DC 100 V

额定电流 6.00 A

额定功率 3 W

极性 NPN

耗散功率 3000 mW

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 2V

额定功率Max 3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.65 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

ZX5T853GTA引脚图与封装图
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在线购买ZX5T853GTA
型号 制造商 描述 购买
ZX5T853GTA Diodes 美台 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN 100V 搜索库存
替代型号ZX5T853GTA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： ZX5T853GTA

品牌： Diodes 美台

封装： SOT-223 NPN 100V 6A 3000mW

当前型号

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN 100V

当前型号

型号： FZT853TA

品牌： 美台

封装： SOT-223 NPN 100V 6A 3W

类似代替

Trans GP BJT NPN 100V 6A Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

ZX5T853GTA和FZT853TA的区别

型号： ZXTN2011GTA

品牌： 美台

封装： SOT-223 100V 6A 3000mW

类似代替

Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

ZX5T853GTA和ZXTN2011GTA的区别

型号： DZT853-13

品牌： 美台

封装： SOT-223 NPN 3000mW

类似代替

TRANS NPN 6A 100V MED PWR SOT223

ZX5T853GTA和DZT853-13的区别