ZTX855STZ
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
ZTX855STZ中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 150 V
额定电流 4.00 A
极性 NPN
耗散功率 1.2 W
增益频宽积 90 MHz
击穿电压集电极-发射极 150 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 5V
额定功率Max 1.2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1200 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 E-Line-3
外形尺寸
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
高度 4.01 mm
封装 E-Line-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ZTX855STZ引脚图与封装图
暂无图片
替代型号ZTX855STZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZTX855STZ 品牌： Diodes 美台 封装： E-Line NPN 150V 4A 1200mW | 当前型号 | TRANS NPN 150V 4A E-LINE | 当前型号 |
| 型号： ZTX855 品牌： 美台 封装： TO-92 NPN 150V 4A 1200mW | 类似代替 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Big Chip SELine | ZTX855STZ和ZTX855的区别 |
| 型号： FZT855TA 品牌： 美台 封装： SOT-223 NPN 150V 5A 24W | 功能相似 | FZT855TA 编带 | ZTX855STZ和FZT855TA的区别 |
| 型号： FZT855TC 品牌： 美台 封装： | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 150V 5A Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | ZTX855STZ和FZT855TC的区别 |