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ZXMP6A17KTC

ZXMP6A17KTC

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Diodes(美台) 分立器件

P-沟道 60 V 125 mOhm 表面贴装 增强型 Mosfet - TO252-3L

Make an effective common gate amplifier using this power MOSFET from Zetex. Its maximum power dissipation is 9250 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

ZXMP6A17KTC中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 9.25 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 6.6A

上升时间 3.4 ns

输入电容Ciss 637pF @30VVds

额定功率Max 2.11 W

下降时间 11.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.11W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

ZXMP6A17KTC引脚图与封装图
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