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ZXTN2010ASTZ

ZXTN2010ASTZ

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 60V NPN Low Sat

- 双极 BJT - 单


得捷:
TRANS NPN 60V 4.5A TO92-3


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 60V NPN Low Sat


艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 4.5A Automotive 3-Pin E-Line T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 4.5A 3-Pin E-Line T/R


ZXTN2010ASTZ中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 4.50 A

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 4.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 1V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 710 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4.77 mm

宽度 2.41 mm

高度 4.01 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

ZXTN2010ASTZ引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
ZXTN2010ASTZ Diodes 美台 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 60V NPN Low Sat 搜索库存
替代型号ZXTN2010ASTZ
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ZXTN2010ASTZ

品牌: Diodes 美台

封装: TO-92-3 NPN 60V 4.5A 710mW

当前型号

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 60V NPN Low Sat

当前型号

型号: ZXTN2010A

品牌: 美台

封装: TO-92-3 NPN 60V 4.5A 710mW

类似代替

Trans GP BJT NPN 60V 4.5A 710mW Automotive 3Pin E-Line

ZXTN2010ASTZ和ZXTN2010A的区别

型号: ZXTN2010ASTOA

品牌: 美台

封装: E-Line NPN

类似代替

TRANSISTOR NPN 60V TO92-3

ZXTN2010ASTZ和ZXTN2010ASTOA的区别