ZTX755
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
ZTX755中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -150 V
额定电流 -1.00 A
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 150 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 5V
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 E-Line-3
外形尺寸
封装 E-Line-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ZTX755引脚图与封装图
暂无图片
替代型号ZTX755
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZTX755 品牌： Diodes 美台 封装： TO-92 PNP 150V 1A | 当前型号 | TRANS PNP 150V 1A MED E-LINE | 当前型号 |
| 型号： ZTX755STOA 品牌： 美台 封装： | 完全替代 | Trans GP BJT PNP 150V 1A 3Pin E-Line T/R | ZTX755和ZTX755STOA的区别 |
| 型号： 2SA1013 品牌： 美微科 封装： | 功能相似 | Trans GP BJT PNP 160V 1A 3Pin TO-92 Mod | ZTX755和2SA1013的区别 |