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ZXTN5551FLTA

ZXTN5551FLTA

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Diodes(美台) 分立器件

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A Automotive 3Pin SOT-23 T/R

Use this versatile NPN GP BJT from Zetex to design various electronic circuits. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 330 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 160 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

ZXTN5551FLTA中文资料参数规格
技术参数

频率 130 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.33 W

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 80 @1mA, 5V

额定功率Max 330 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

ZXTN5551FLTA引脚图与封装图
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在线购买ZXTN5551FLTA
型号 制造商 描述 购买
ZXTN5551FLTA Diodes 美台 Trans GP BJT NPN 160V 0.6A Automotive 3Pin SOT-23 T/R 搜索库存
替代型号ZXTN5551FLTA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： ZXTN5551FLTA

品牌： Diodes 美台

封装： SOT-23-3 NPN 330mW

当前型号

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A Automotive 3Pin SOT-23 T/R

当前型号

型号： MMBT5551-7-F

品牌： 美台

封装： SOT-23 NPN 160V 200mA 300mW

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