ZTD09N50DE6QTA

Diodes(美台) 分立器件

Transistors BJT

Bipolar BJT Transistor Array 2 NPN Dual 50V 1A 215MHz 1.1W Surface Mount SOT-26

得捷:
TRANS 2NPN 50V 1A

艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 1A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R

ZTD09N50DE6QTA中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V

额定功率Max 1.1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-23-6

外形尺寸

封装 SOT-23-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ZTD09N50DE6QTA引脚图与封装图

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