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ZXTN19060CGTA

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Diodes(美台) 分立器件

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN 60V 7A

Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile NPN GP BJT from Zetex. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 5300 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 7 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

ZXTN19060CGTA中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 5300 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 7A

最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 500 @100mA, 2V

额定功率Max 3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 5300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.65 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

ZXTN19060CGTA引脚图与封装图
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