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ZTX553STZ
Diodes(美台) 分立器件

Trans GP BJT PNP 100V 1A 1000mW Automotive 3Pin E-Line Box

Bipolar BJT Transistor PNP 100V 1A 150MHz 1W Through Hole E-Line TO-92 compatible


得捷:
TRANS PNP 100V 1A E-LINE


艾睿:
Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile PNP ZTX553STZ GP BJT from Diodes Zetex. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 100 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 200 °C.


安富利:
Trans GP BJT PNP 100V 1A 3-Pin E-Line Box


Verical:
Trans GP BJT PNP 100V 1A 1000mW 3-Pin E-Line Box


ZTX553STZ中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

额定电压DC -100 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 E-Line-3

外形尺寸

封装 E-Line-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

ZTX553STZ引脚图与封装图
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