ZXTN26070CV-7

Diodes(美台) 分立器件

Trans GP BJT NPN 70V 2A 1000mW Automotive 6Pin SOT-666 T/R

- 双极 BJT - 单 NPN 200MHz 表面贴装型 SOT-666

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70V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT-666

ZXTN26070CV-7中文资料参数规格

技术参数

频率 200 MHz

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 70 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 5V

额定功率Max 600 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666

外形尺寸

封装 SOT-666

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

ZXTN26070CV-7引脚图与封装图

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