ZTX694BSTZ
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
ZTX694BSTZ中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 120 V
额定电流 500 mA
额定功率 1 W
极性 NPN
耗散功率 1 W
增益频宽积 130 MHz
击穿电压集电极-发射极 120 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 400 @200mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 500 @100mA, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 E-Line-3
外形尺寸
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
高度 4.01 mm
封装 E-Line-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ZTX694BSTZ引脚图与封装图
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在线购买ZTX694BSTZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZTX694BSTZ | Diodes 美台 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号ZTX694BSTZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZTX694BSTZ 品牌： Diodes 美台 封装： TO-92 NPN 120V 500mA 1000mW | 当前型号 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： ZTX694B 品牌： 美台 封装： TO-92 NPN 120V 500mA 1000mW | 类似代替 | ZTX694B 袋装 | ZTX694BSTZ和ZTX694B的区别 |
| 型号： ZTX694BSTOA 品牌： 美台 封装： E-Line NPN 120V 500mA | 功能相似 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Super E-Line | ZTX694BSTZ和ZTX694BSTOA的区别 |