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ZXTN19100CZTA

ZXTN19100CZTA

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Diodes(美台) 分立器件

Trans GP BJT NPN 100V 5.25A 4460mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-89 T/R

This NPN general purpose bipolar junction transistor from Zetex is perfect for a circuit requiring high-current density and can operate in a high voltage range. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 4460 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 100 V and a maximum emitter base voltage of 7 V.

ZXTN19100CZTA中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

极性 NPN

耗散功率 4.46 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 5.25A

最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 500 @100mA, 2V

额定功率Max 2.4 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 4460 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

宽度 2.6 mm

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

ZXTN19100CZTA引脚图与封装图
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ZXTN19100CZTA Diodes 美台 Trans GP BJT NPN 100V 5.25A 4460mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-89 T/R 搜索库存