额定电压DC -140 V
额定电流 -3.00 A
极性 PNP
耗散功率 1.2 W
击穿电压集电极-发射极 140 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 5V
额定功率Max 1.2 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1200 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 E-Line-3
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
高度 4.01 mm
封装 E-Line-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Box
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ZTX955STZ 品牌: Diodes 美台 封装: TO-92 PNP 140V 3A | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Big Chip SELine | 当前型号 | |
型号: ZTX955 品牌: 美台 封装: TO-92 PNP 140V 3A 1200mW | 完全替代 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Medium Power | ZTX955STZ和ZTX955的区别 | |
型号: BD158 品牌: 摩托罗拉 封装: | 功能相似 | Transistor Power NPN 500mA 300V TO-126 30hfe 0.05A Motorola | ZTX955STZ和BD158的区别 | |
型号: 2N6123 品牌: NTE Electronics 封装: | 功能相似 | t-Npn Si-Pwr Amp | ZTX955STZ和2N6123的区别 |