额定电压DC -20.0 V
额定电流 -4.50 A
极性 PNP
耗散功率 1200 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 4.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 1V
额定功率Max 1.2 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1200 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 E-Line-3
封装 E-Line-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Box
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ZTX948STZ | Diodes 美台 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ZTX948STZ 品牌: Diodes 美台 封装: TO-92 PNP 20V 4.5A 1200mW | 当前型号 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: ZTX948STOA 品牌: 美台 封装: TO-92 PNP 20V 4.5A | 完全替代 | Transistors BJT - Single | ZTX948STZ和ZTX948STOA的区别 | |
型号: ZTX948 品牌: 美台 封装: TO-92 PNP 20V 4.5A 1200mW | 类似代替 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Big Chip SELine | ZTX948STZ和ZTX948的区别 | |
型号: FZT948TA 品牌: 美台 封装: SOT-223 PNP 20V 6A 3000mW | 功能相似 | FZT948TA 编带 | ZTX948STZ和FZT948TA的区别 |