ZXMN3A01E6TA
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
ZXMN3A01E6TA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 2.80 A
漏源极电阻 180 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.7 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
上升时间 2.3 ns
输入电容Ciss 190pF @25VVds
额定功率Max 1.1 W
下降时间 2.9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-23-6
外形尺寸
长度 3.1 mm
宽度 1.8 mm
高度 1.3 mm
封装 SOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
ZXMN3A01E6TA引脚图与封装图
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在线购买ZXMN3A01E6TA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZXMN3A01E6TA | Diodes 美台 | N沟道 30V 2.4A | 搜索库存 |
替代型号ZXMN3A01E6TA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZXMN3A01E6TA 品牌： Diodes 美台 封装： SOT-23-6 N-Channel 30V 3A 180mΩ | 当前型号 | N沟道 30V 2.4A | 当前型号 |
| 型号： ZXM62N03E6TA 品牌： 美台 封装： SOT-23 | 功能相似 | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6 | ZXMN3A01E6TA和ZXM62N03E6TA的区别 |