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ZVNL110ASTZ

ZVNL110ASTZ

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

N沟道 100V 320mA

N-Channel 100V 320mA Ta 700mW Ta Through Hole E-Line TO-92 compatible


得捷:
MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE


立创商城:
N沟道 100V 320mA


艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the ZVNL110ASTZ power MOSFET, developed by Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 700 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
N-Ch Enhancement Mode DMOS FET E-Line


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line T/R


ZVNL110ASTZ中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 320 mA

通道数 1

漏源极电阻 4.50 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 0.7 W

输入电容 75.0 pF

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 320 mA

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 75pF @25VVds

额定功率Max 700 mW

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 700mW Ta

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

宽度 2.41 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

ZVNL110ASTZ引脚图与封装图
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在线购买ZVNL110ASTZ
型号 制造商 描述 购买
ZVNL110ASTZ Diodes 美台 N沟道 100V 320mA 搜索库存
替代型号ZVNL110ASTZ
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： ZVNL110ASTZ

品牌： Diodes 美台

封装： TO-92-3 N-Channel 100V 320mA 4.5Ω 75pF

当前型号

N沟道 100V 320mA

当前型号

型号： BSS123TA

品牌： 美台

封装： SOT-23-3 N-Channel 100V 170mA 6Ω

类似代替

DIODES INC.  BSS123TA  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 2.2 V

ZVNL110ASTZ和BSS123TA的区别

型号： ZVN2106A

品牌： 美台

封装： TO-92-3 N-Channel 60V 450mA 2Ω

类似代替

DIODES INC.  ZVN2106A  晶体管, MOSFET, N沟道, 450 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V

ZVNL110ASTZ和ZVN2106A的区别

型号： BS170P

品牌： 美台

封装： TO-92-3 N-Channel 60V 270mA 5Ω

类似代替

BS170 系列 60 V 5 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET- TO-92

ZVNL110ASTZ和BS170P的区别