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ZXT951KTC
Diodes(美台) 分立器件

Trans GP BJT PNP 60V 6A 4200mW Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R

- 双极 BJT - 单 PNP 60 V 6 A 120MHz 4.2 W 表面贴装型 TO-252-3


得捷:
TRANS PNP 60V 6A TO252-3


立创商城:
PNP 60V 6A


艾睿:
Thanks to Diodes Zetex, your circuit can handle high levels of voltage using the PNP ZXT951KTC general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 4200 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 7 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans GP BJT PNP 60V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
ZXT Series 60 V 6 A PNP Low Saturation Medium Power Transistor - DPAK


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 6A 4200mW Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
TRANS PNP 60V 6A D-PAK


ZXT951KTC中文资料参数规格
技术参数

频率 120 MHz

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -6.00 A

额定功率 4.2 W

极性 PNP

耗散功率 4.2 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 1V

额定功率Max 4.2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 4200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

ZXT951KTC引脚图与封装图
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