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ZXTN2005GTA

ZXTN2005GTA

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 25V NPN Low Sat

- 双极 BJT - 单 NPN 25 V 7 A 150MHz 3 W 表面贴装型 SOT-223-3


得捷:
TRANS NPN 25V 7A SOT223-3


立创商城:
NPN 25V 7A


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 25V NPN Low Sat


艾睿:
Add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit with this NPN ZXTN2005GTA GP BJT from Diodes Zetex. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 3000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 25 V and a maximum emitter base voltage of 7 V.


安富利:
Trans GP BJT NPN 25V 7A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


富昌:
ZXTN2005G 系列 NPN 7 A 25 V 表面贴装 低饱和 晶体管 - SOT-223


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 25V 7A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


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Trans GP BJT NPN 25V 7A 3000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
TRANS NPN 25V 7A SOT223


DeviceMart:
TRANS NPN LO SAT 25V 7A SOT223


ZXTN2005GTA中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

额定电压DC 25.0 V

额定电流 7.00 A

极性 NPN

耗散功率 3 W

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 7A

最小电流放大倍数hFE 300 @1A, 1V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.65 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

ZXTN2005GTA引脚图与封装图
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在线购买ZXTN2005GTA
型号 制造商 描述 购买
ZXTN2005GTA Diodes 美台 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 25V NPN Low Sat 搜索库存
替代型号ZXTN2005GTA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ZXTN2005GTA

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-223 NPN 25V 7A 3000mW

当前型号

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 25V NPN Low Sat

当前型号

型号: FZT869TA

品牌: 美台

封装: SOT-223 NPN 25V 6.5A 3000mW

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