ZX3CD3S1M832TA
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
ZX3CD3S1M832TA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -3.50 A
极性 PNP
耗散功率 3000 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 60 @1.5A, 2V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 3 W
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 3000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 MLP-8
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 2 mm
高度 1 mm
封装 MLP-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ZX3CD3S1M832TA引脚图与封装图
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在线购买ZX3CD3S1M832TA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZX3CD3S1M832TA | Diodes 美台 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP 40V/1A Sch Comb | 搜索库存 |
替代型号ZX3CD3S1M832TA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZX3CD3S1M832TA 品牌： Diodes 美台 封装： 8-VDFN PNP 20V 3.5A | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP 40V/1A Sch Comb | 当前型号 |
| 型号： ZXTPS720MCTA 品牌： 美台 封装： DFN-8 PNP 2.45W | 功能相似 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 40V PNP 1A Schottky Vceo -40V 104mOhm | ZX3CD3S1M832TA和ZXTPS720MCTA的区别 |