ZXMN3A02N8TA
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
ZXMN3A02N8TA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 9.00 A
漏源极电阻 35.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.56 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 9.00 A
上升时间 5.5 ns
输入电容Ciss 1400pF @25VVds
额定功率Max 1.56 W
下降时间 5.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.56W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
外形尺寸
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
ZXMN3A02N8TA引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| ZXMN3A02N8TA | Diodes 美台 | MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC | 搜索库存 |