ZTX869STZ
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
ZTX869STZ中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 5.00 A
极性 NPN
耗散功率 1.2 W
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 300 @1A, 1V
最大电流放大倍数hFE 300 @10mA, 1V
额定功率Max 1.2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1200 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
高度 4.01 mm
封装 TO-92-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ZTX869STZ引脚图与封装图
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在线购买ZTX869STZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZTX869STZ | Diodes 美台 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号ZTX869STZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZTX869STZ 品牌： Diodes 美台 封装： TO-92 NPN 25V 5A 1200mW | 当前型号 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： ZTX869 品牌： 美台 封装： TO-92 NPN 25V 5A 1200mW | 类似代替 | DIODES INC. ZTX869 单晶体管 双极, NPN, 25 V, 100 MHz, 1.2 W, 5 A, 450 hFE | ZTX869STZ和ZTX869的区别 |
| 型号： ZTX869STOA 品牌： 美台 封装： | 类似代替 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Big Chip SELine | ZTX869STZ和ZTX869STOA的区别 |
| 型号： FZT869TA 品牌： 美台 封装： SOT-223 NPN 25V 6.5A 3000mW | 功能相似 | FZT869TA 编带 | ZTX869STZ和FZT869TA的区别 |