ZXTP03200BGTA
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
ZXTP03200BGTA中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 200 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 5V
额定功率Max 1.25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 5800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ZXTP03200BGTA引脚图与封装图
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在线购买ZXTP03200BGTA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZXTP03200BGTA | Diodes 美台 | 200V PNP Low VCEsat transistor in SOT223 | 搜索库存 |
替代型号ZXTP03200BGTA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZXTP03200BGTA 品牌： Diodes 美台 封装： SOT-223 PNP | 当前型号 | 200V PNP Low VCEsat transistor in SOT223 | 当前型号 |
| 型号： FZT956TA 品牌： 美台 封装： SOT-223 PNP 200V 2A 3000mW | 类似代替 | FZT956TA 编带 | ZXTP03200BGTA和FZT956TA的区别 |