ZXTN2010ZQTA
Diodes(美台)
分立器件
ZXTN2010ZQTA中文资料参数规格
技术参数
额定功率 2.1 W
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 5A
最大电流放大倍数hFE 300
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89
外形尺寸
封装 SOT-89
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ZXTN2010ZQTA引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| ZXTN2010ZQTA | Diodes 美台 | 60V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 | 搜索库存 |