锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

ZXTP5401GTA

ZXTP5401GTA

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

TRANSISTOR PNP 150V SOT223

Implement this versatile PNP GP BJT from Zetex into an electronic circuit to be used as a current or voltage-controlled switch or amplifier. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 150 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

ZXTP5401GTA中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 PNP

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

高度 1.65 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

ZXTP5401GTA引脚图与封装图
暂无图片
在线购买ZXTP5401GTA
型号 制造商 描述 购买
ZXTP5401GTA Diodes 美台 TRANSISTOR PNP 150V SOT223 搜索库存
替代型号ZXTP5401GTA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ZXTP5401GTA

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-223 PNP 2000mW

当前型号

TRANSISTOR PNP 150V SOT223

当前型号

型号: DZT5401-13

品牌: 美台

封装: SOT-223 PNP 1000mW

类似代替

DZT5401 系列 PNP 150 V 0.6 A 表面贴装 晶体管 - SOT-223

ZXTP5401GTA和DZT5401-13的区别