频率 50 MHz
额定电压DC -400 V
额定电流 -200 mA
极性 PNP
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @50mA, 10V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 E-Line-3
封装 E-Line-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Box
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ZTX558STZ | Diodes 美台 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ZTX558STZ 品牌: Diodes 美台 封装: TO-92 PNP 400V 200mA | 当前型号 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: ZTX558 品牌: 美台 封装: TO-92 PNP 400V 200mA 1000mW | 完全替代 | DIODES INC. ZTX558 单晶体管 双极, PNP, 400 V, 50 MHz, 1 W, 200 mA, 100 hFE | ZTX558STZ和ZTX558的区别 | |
型号: FMMT558TA 品牌: 美台 封装: SOT-23-3 PNP 400V 150mA 500mW | 类似代替 | FMMT558TA 编带 | ZTX558STZ和FMMT558TA的区别 | |
型号: FMMT558QTA 品牌: 美台 封装: SOT-23-3 PNP 500mW | 功能相似 | Bipolar Transistors - BJT 400V PNP High Volt 0.5W1/2W -150mA | ZTX558STZ和FMMT558QTA的区别 |