ZVP2120ASTZ
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
ZVP2120ASTZ中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -200 V
额定电流 -120 mA
漏源极电阻 25.0 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 700 mW
输入电容 100 pF
漏源极电压Vds 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 120 mA
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 100pF @25VVds
额定功率Max 700 mW
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700mW Ta
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
高度 4.01 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ZVP2120ASTZ引脚图与封装图
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在线购买ZVP2120ASTZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZVP2120ASTZ | Diodes 美台 | Trans MOSFET P-CH 200V 0.12A 3Pin E-Line T/R | 搜索库存 |
替代型号ZVP2120ASTZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZVP2120ASTZ 品牌： Diodes 美台 封装： TO-92-3 P-Channel 200V 120mA 25Ω 100pF | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 200V 0.12A 3Pin E-Line T/R | 当前型号 |
| 型号： BSS123TA 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 N-Channel 100V 170mA 6Ω | 功能相似 | DIODES INC. BSS123TA 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 2.2 V | ZVP2120ASTZ和BSS123TA的区别 |
| 型号： ZVN4206A 品牌： 美台 封装： TO-92-3 N-Channel 60V 600mA 1.5Ω 100pF | 功能相似 | ZVN4206A 系列 60 V 1 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET - TO-92 | ZVP2120ASTZ和ZVN4206A的区别 |
| 型号： BS250P 品牌： 美台 封装： TO-226-3 P-Channel 45V 230mA 14Ω | 功能相似 | BS250P 袋装 | ZVP2120ASTZ和BS250P的区别 |