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ZVN4206GVTA

ZVN4206GVTA

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Diodes(美台) 分立器件

ZVN4206G 系列 60 V 1 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET SOT-223

Use Zetex"s power MOSFET to switch quickly between different electronic signals with ease. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with dmos technology.

ZVN4206GVTA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 1.00 A

漏源极电阻 1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 1.3 V

输入电容 20.0 pF

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 1.00 A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 100pF @25VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

ZVN4206GVTA引脚图与封装图
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在线购买ZVN4206GVTA
型号 制造商 描述 购买
ZVN4206GVTA Diodes 美台 ZVN4206G 系列 60 V 1 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET SOT-223 搜索库存
替代型号ZVN4206GVTA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： ZVN4206GVTA

品牌： Diodes 美台

封装： SOT-223 N-Channel 60V 1A 1.5Ω 20pF

当前型号

ZVN4206G 系列 60 V 1 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET SOT-223

当前型号

型号： BSP206

品牌： 恩智浦

封装：

功能相似

BSP206 P沟道MOS场效应管 -60V -359mA 6ohm SOT-223 marking/标记 高速开关 无二次击穿

ZVN4206GVTA和BSP206的区别

型号： BSP205

品牌： 恩智浦

封装：

功能相似

P沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

ZVN4206GVTA和BSP205的区别