额定电压DC -240 V
额定电流 -200 mA
通道数 1
漏源极电阻 11.0 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 750 mW
阈值电压 2 V
输入电容 18.0 pF
漏源极电压Vds 240 V
栅源击穿电压 ±40.0 V
连续漏极电流Ids 200 mA
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 100pF @25VVds
额定功率Max 750 mW
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 750 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
宽度 2.41 mm
高度 4.01 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
ZVP4424ASTZ | Diodes 美台 | MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: ZVP4424ASTZ 品牌: Diodes 美台 封装: TO-92-3 P-Channel 240V 200mA 11Ω 18pF | 当前型号 | MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3 | 当前型号 | |
型号: ZVN2106A 品牌: 美台 封装: TO-92-3 N-Channel 60V 450mA 2Ω | 类似代替 | DIODES INC. ZVN2106A 晶体管, MOSFET, N沟道, 450 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V | ZVP4424ASTZ和ZVN2106A的区别 | |
型号: ZVP4424A 品牌: 美台 封装: TO-92-3 P-Channel 240V 200mA 11Ω 18pF | 类似代替 | ZVP4424 系列 P 沟道 240 V 1 A 750 mW 垂直 DMOS FET - TO-92 | ZVP4424ASTZ和ZVP4424A的区别 | |
型号: BSS123TA 品牌: 美台 封装: SOT-23-3 N-Channel 100V 170mA 6Ω | 功能相似 | DIODES INC. BSS123TA 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 2.2 V | ZVP4424ASTZ和BSS123TA的区别 |