ZXMN2088DE6TA

Diodes(美台) 分立器件

双 N-沟道 20 V 200 mΩ 3.8 nC 增强型 Mosfet - SOT-26

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 1.7A 1.1W 表面贴装型 SOT-23-6

得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26

贸泽:
MOSFET 20V DUAL SOT23-6 20V VBR MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 6-Pin SOT-23 T/R

富昌:
双 N-沟道 20 V 200 mΩ 3.8 nC 增强型 Mosfet - SOT-26

Win Source:
20V Dual SOT23-6 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability

ZXMN2088DE6TA中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.3 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 2.1A

上升时间 3.2 ns

输入电容Ciss 279pF @10VVds

额定功率Max 1.1 W

下降时间 6.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-23-6

外形尺寸

封装 SOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

ZXMN2088DE6TA引脚图与封装图

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