额定电压DC 60.0 V
额定电流 270 mA
漏源极电阻 5.00 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 0.625 W
输入电容 35.0 pF
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 270 mA
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 35pF @18VVds
额定功率Max 625 mW
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ZVN3306ASTZ | Diodes 美台 | MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ZVN3306ASTZ 品牌: Diodes 美台 封装: TO-92-3 N-Channel 60V 270mA 5Ω 35pF | 当前型号 | MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3 | 当前型号 | |
型号: ZVN2106A 品牌: 美台 封装: TO-92-3 N-Channel 60V 450mA 2Ω | 类似代替 | DIODES INC. ZVN2106A 晶体管, MOSFET, N沟道, 450 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V | ZVN3306ASTZ和ZVN2106A的区别 | |
型号: ZVN4206A 品牌: 美台 封装: TO-92-3 N-Channel 60V 600mA 1.5Ω 100pF | 类似代替 | ZVN4206A 系列 60 V 1 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET - TO-92 | ZVN3306ASTZ和ZVN4206A的区别 | |
型号: BSS123TA 品牌: 美台 封装: SOT-23-3 N-Channel 100V 170mA 6Ω | 功能相似 | DIODES INC. BSS123TA 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 2.2 V | ZVN3306ASTZ和BSS123TA的区别 |