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ZTX949STZ
Diodes(美台) 分立器件

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Big Chip SELine

- 双极 BJT - 单 PNP 30 V 4.5 A 100MHz 1.58 W 通孔 E-Line(TO-92 兼容)


得捷:
TRANS PNP 30V 4.5A E-LINE


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Big Chip SELine


艾睿:
The PNP ZTX949STZ general purpose bipolar junction transistor, developed by Diodes Zetex, is the perfect solution for your high-current density needs. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1200 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 30 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 200 °C.


安富利:
Trans GP BJT PNP 30V 4.5A 3-Pin E-Line Box


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 30V 4.5A 3-Pin E-Line Box


Verical:
Trans GP BJT PNP 30V 4.5A Automotive 3-Pin E-Line Box


ZTX949STZ中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -4.50 A

极性 PNP

耗散功率 1.2 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 4.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 1V

额定功率Max 1.58 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1200 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 E-Line-3

外形尺寸

封装 E-Line-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

ZTX949STZ引脚图与封装图
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替代型号ZTX949STZ
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型号: ZTX949STZ

品牌: Diodes 美台

封装: TO-92 PNP 30V 4.5A 1.2W

当前型号

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Big Chip SELine

当前型号

型号: ZTX949

品牌: 美台

封装: TO-92 PNP 30V 4.5A 1200mW

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