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ZVP2120A
Diodes(美台) 分立器件

MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3

通孔 P 通道 120mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92


得捷:
MOSFET P-CH 200V 120MA TO92-3


Win Source:
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3


ZVP2120A中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -200 V

额定电流 -120 mA

漏源极电阻 25.0 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 700mW Ta

输入电容 100 pF

漏源极电压Vds 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 120 mA

上升时间 15.0 ns

输入电容Ciss 100pF @25VVds

额定功率Max 700 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

ZVP2120A引脚图与封装图
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ZVP2120A Diodes 美台 MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3 搜索库存
替代型号ZVP2120A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ZVP2120A

品牌: Diodes 美台

封装: TO-92-3 P-Channel 200V 120mA 25Ω 100pF

当前型号

MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3

当前型号

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