额定电压DC -200 V
额定电流 -120 mA
漏源极电阻 25.0 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 700mW Ta
输入电容 100 pF
漏源极电压Vds 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 120 mA
上升时间 15.0 ns
输入电容Ciss 100pF @25VVds
额定功率Max 700 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
封装 TO-92-3
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ZVP2120A 品牌: Diodes 美台 封装: TO-92-3 P-Channel 200V 120mA 25Ω 100pF | 当前型号 | MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3 | 当前型号 | |
型号: BSS123-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-23 N-Channel 100V 170mA 10Ω | 功能相似 | 三极管 | ZVP2120A和BSS123-7-F的区别 | |
型号: 2N7002K-7 品牌: 美台 封装: SOT-23 N-Channel 60V 300mA | 功能相似 | 2N7002K 系列 60 V 2 Ohm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3 | ZVP2120A和2N7002K-7的区别 | |
型号: MMBF170-7-F 品牌: 美台 封装: TO-236-3 N-Channel 60V 500mA 5.3Ω 40pF | 功能相似 | MMBF170-7-F 编带 | ZVP2120A和MMBF170-7-F的区别 |