ZXMP10A13FTC
数据手册.pdf
Diodes
美台
分立器件
极性 P-CH
耗散功率 0.806 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 0.7A
上升时间 2.1 ns
输入电容Ciss 141pF @50VVds
下降时间 3.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 806 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
封装 SOT-23
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ZXMP10A13FTC | Diodes 美台 | ZXMP10A13 系列 100 V 1 Ohm P 沟道 增强模式 MOSFET - SOT-23 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ZXMP10A13FTC 品牌: Diodes 美台 封装: SOT23 P-CH 100V 0.7A | 当前型号 | ZXMP10A13 系列 100 V 1 Ohm P 沟道 增强模式 MOSFET - SOT-23 | 当前型号 | |
型号: ZXMP10A13FTA 品牌: 美台 封装: SOT-23-3 P-Channel 100V 700mA 1.45Ω | 功能相似 | -100V,-0.7A,P沟道MOSFET | ZXMP10A13FTC和ZXMP10A13FTA的区别 |