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ZVN2110GTA

ZVN2110GTA

数据手册.pdf
Diodes Zetex 捷特科 分立器件

N 沟道 MOSFET,100V 至 650V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.

N 通道 MOSFET,100V 至 950V,Diodes Inc

### MOSFET ,Diodes Inc.


欧时:
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN2110GTA, 500 mA, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装


ZVN2110GTA中文资料参数规格
技术参数

输入电容Ciss 59pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.65 mm

封装 SOT-223

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ZVN2110GTA引脚图与封装图
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