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ZXMN3AM832TA

ZXMN3AM832TA

数据手册.pdf
Vishay Semiconductor 威世 分立器件
ZXMN3AM832TA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 3.00 A

漏源极电阻 180 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.50 W

输入电容 190 pF

栅电荷 3.90 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 3.70 A

上升时间 2.30 ns

输入电容Ciss 190pF @25VVds

额定功率Max 1.13 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VDFN-8

外形尺寸

封装 VDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ZXMN3AM832TA引脚图与封装图
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ZXMN3AM832TA Vishay Semiconductor 威世 Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8Pin MLP T/R 搜索库存