ZXTP2012ASTOA
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
ZXTP2012ASTOA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -3.50 A
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 3.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 1V
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 E-Line-3
外形尺寸
封装 E-Line-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ZXTP2012ASTOA引脚图与封装图
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在线购买ZXTP2012ASTOA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZXTP2012ASTOA | Vishay Semiconductor 威世 | ZXTP2012A Series PNP 60V 1A Medium Power Transistor Through Hole - TO-92-3 | 搜索库存 |
替代型号ZXTP2012ASTOA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZXTP2012ASTOA 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-92 PNP 60V 3.5A | 当前型号 | ZXTP2012A Series PNP 60V 1A Medium Power Transistor Through Hole - TO-92-3 | 当前型号 |
| 型号： ZXTP2012A 品牌： 美台 封装： TO-92-3 PNP 60V 3.5A 1000mW | 类似代替 | Bipolar Small Signal 60V PNP Low Sat | ZXTP2012ASTOA和ZXTP2012A的区别 |