ZVN3320ASTOA
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
ZVN3320ASTOA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 100 mA
通道数 1
漏源极电阻 25 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 330 mW
输入电容 45.0 pF
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 60.0 mA
输入电容Ciss 45pF @25VVds
额定功率Max 625 mW
耗散功率Max 625mW Ta
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
封装 TO-92-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ZVN3320ASTOA引脚图与封装图
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在线购买ZVN3320ASTOA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZVN3320ASTOA | Vishay Semiconductor 威世 | MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3 | 搜索库存 |
替代型号ZVN3320ASTOA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZVN3320ASTOA 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOT-23 N-Channel 200V 60mA 25Ω 45pF | 当前型号 | MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3 | 当前型号 |