ZXMD63N02X
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Vishay Semiconductor
威世
晶体管
ZXMD63N02X中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.13 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 1.25 W
阈值电压 700 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 2.40 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 MSOP
外形尺寸
封装 MSOP
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ZXMD63N02X引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZXMD63N02X | Vishay Semiconductor 威世 | DIODES INC. ZXMD63N02X Dual MOSFET, Dual N Channel, 2.4A, 20V, 130mohm, 4.5V, 700mV | 搜索库存 |