ZXMD63P02X
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
ZXMD63P02X中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.27 Ω
极性 Dual P-Channel
耗散功率 1.25 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 1.70 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 MSOP
外形尺寸
封装 MSOP
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ZXMD63P02X引脚图与封装图
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在线购买ZXMD63P02X
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZXMD63P02X | Vishay Semiconductor 威世 | DIODES INC. ZXMD63P02X Dual MOSFET, Dual P Channel, 1.7A, -20V, 270mohm, 4.5V, -700mV | 搜索库存 |
替代型号ZXMD63P02X
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZXMD63P02X 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： MSOP Dual P-Channel 20V 1.7A | 当前型号 | DIODES INC. ZXMD63P02X Dual MOSFET, Dual P Channel, 1.7A, -20V, 270mohm, 4.5V, -700mV | 当前型号 |
| 型号： IRF7504TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： µSOIC Dual P-Channel 20V 1.7A | 功能相似 | INFINEON IRF7504TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.7 A, -20 V, 0.27 ohm, -4.5 V, -700 mV 新 | ZXMD63P02X和IRF7504TRPBF的区别 |