
漏源极电阻 25 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 200 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-223
封装 SOT-223
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ZXMP2120G4 | Vishay Semiconductor 威世 | DIODES INC. ZXMP2120G4 MOSFET Transistor, P Channel, 200mA, -200V, 25Ω, 10V, -3.5V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ZXMP2120G4 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: SOT-223 P-Channel 200V 200mA | 当前型号 | DIODES INC. ZXMP2120G4 MOSFET Transistor, P Channel, 200mA, -200V, 25Ω, 10V, -3.5V | 当前型号 | |
型号: BSP225,115 品牌: 恩智浦 封装: SOT-223 P-Channel -250V -225mA | 功能相似 | NXP BSP225,115 晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -250 V, 10 ohm, -10 V, -2.8 V | ZXMP2120G4和BSP225,115的区别 |